金属氧化物半导体集成电路
jīn shǔ yǎng huà wù bàn dǎo tǐ jí chéng diàn lù 简称“mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低，但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路（cmos）。应用广泛。
金属氧化物半导体集成电路读音
金属氧化物半导体集成电路的词语解释
词语解释
⒈ 简称“mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低，但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路（cmos）。应用广泛。